多模块存储器
为了加快主存的访问速度,可以对主存的结构进行一些调整。
一、单体多字存储器
| w位 | w位 | w位 | w位 |
将原来只存放w位的存储芯片,组合成4w位,这样,就可以一次取出4w位,带宽增大了。但是这种方法必须要求指令与数据连续存放,一旦遇到转移指令,或者操作数不能连续存放,这种方法效果就不明显了。
缺点:由于单体多字存储器必须凑齐4个数据字才能作为一个存储字一次写入存储器,因此需要先把一个属于存储字的4个数据字读到数据寄存器中,等数据寄存器达到一个存储字的长度,再将其写入存储器中。
二、多体并行存储器
采用多个模块组成的存储器,每个模块有着相同的容量和存取速度,各模块都有独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码器和读写电路。每个模块可以看成一个独立的存储器。
多体并行存储器分为:高位交叉编址和低位交叉编址
1.高位交叉编址
这里体号在高位,低位为体内地址。由于每个模块体内的地址连续,以称为顺序存储。按这种方式,可以在同一时间不同的请求源访问不同的存储体。
缺点:受到带宽的限制。
2.低位交叉编址
这里体号在低位,高位为体内地址。
对连续字的成块传送,低位交叉编址的多体存储器可以实现多模块流水线式并行存取,大大提高存储器的带宽。