内部存储器

(1)ROM：read only memory 只读存储器，只读不是真正意义的只读，是指不能用总线式访问和写入数据，无法随机读写，只能以块为单位读取，掉电不丢失。形如硬盘、Flash(闪存)之类的块设备,此项不是内部存储器。
(2)RAM：random access memory随机访问存储器，总线式访问，效率高，可以直接任意的以字节为单位访问地址，形如内存
(3)IROM：internal rom内部ROM，集成到Soc内部的ROM，不用初始化，uboot第一阶段就是在IROM中执行BL0阶段
(4)IRAM：internal random memory继承到Soc内部的RAM，不用初始化
(5)SROM：可以扩展增加的SRAM和SROM，Soc的SROM controller其实就是Soc提供对外总线式连接SRAM/SROM的接口
(6)DRAM：dynamic ram动态RAM，需要软件初始化才能使用的RAM，与DDR没有什么差别
(7)SRAM：static ram静态RAM，无需初始化即可使用的RAM
(8)DDR：多倍速的DRAM
(9)SDRAM：Syn dynamic ram同步动态随机存储器

外部存储器

(1)硬盘、光盘、CD等：存储原理一般为磁存储，内部为物理运动，体积较大，在嵌入式设备中一般无法使用
Flash闪存技术：利用电学原理存储，无物理运动，读写速度快，以下都为Flash的不同形态
(2)纯粹的Flash分成NandFlash和NandFlash，只包含存储颗粒和读写接口，需要外部Soc提供Flash读写的控制器来通信，接口时序复杂，内部无坏块处理机制，需要Soc管理Falsh坏块，并且Flash接口不一致，不标准化
NandFlash：非总线式访问，需要初始化，为块设备，内部又分为MLC和SLC两种
MLC：技术比较新，不成熟，可靠性差，但是容量可以做到很大并且十分便宜
SLC：技术早，可靠性高，容量大但价格贵
NandFlash：总线式访问，不需要初始化，一般来做启动介质，上电就能运行，常用来做BIOS
(3)SD卡/MMC卡/Micro SD卡：总体都是卡，卡的内部还是Flash存储颗粒，比直接的Nand芯片增加了外部封装接口和接口标准，SD卡有物理写保护，非总线式访问，块设备，SD卡中有自己的管理模块
(4)iNand/MoviNand/eSSD：本质是Nandflash，内部由Nand存储颗粒构成，集成了块设备管理单元，有统一的接口，但如同纯粹的Flash一样，还是以芯片方式发布，但内部的管理单元提供了坏块管理模块，Nand管理更容易，现在的手机外部存储都为iNand类，此类型将是一种趋势
(5)SSD：固态硬盘，一般使用在台式机PC中，有替换机械硬盘的趋势，表现在Flash闪存技术的优势

以上为本人自我总结，如有错误，愿指出，不胜感激！