电信19-2 翁大弟

一、实验目的

1、掌握直流扫描分析的各种设置和方法。

二、实验内容

1、绘出下面电路图，利用直流扫描（DC Sweep）来验证二极管的V-I特性曲线。

步骤：

（1）、作出电路图，进行直流扫描扫描分析。设置主扫描变量为电压

源V1,由-110V开始扫描到10V，每隔0.01V记录一点；查看二极管流过的

电流曲线  I（D1）  。

 （3）、再如上面的操作将X轴坐标刻度值设为-101V到-99V，将纵坐标调整为-5A到1A，查看二极管电流I（D1），可见其雪崩电压约为100V。

2、绘出下面电路图，利用直流扫描分析(DC Sweep)的来验证晶体三极管的

Vce-Ib 输出特性曲线。

步骤：

1）电压源V1和电流源I1的元件属性默认都为0。以下扫描类型均为Linear扫描。

 2）设置主扫描参数。在Options栏内勾选Primary Sweep 选项，设置主扫描变量为电压源V1,由0V开始扫描到4V，每隔0.01V记录一点。

   3）设置副扫描参数 在Options栏内勾选Secondary Sweep选项，设

置副扫描变量为电流源I1,由0A开始扫描到0.5mA,每隔0.1mA记录一点。

或者在Value List 中设置为0  0.1m  0.2m  0.3m  0.4m  0.5m 也可。

   4）进行仿真分析，查看集电极电流  IC（Q1） 

 3、共射极放大电路如下图所示。设BJT的型号为2N3904（b=50）。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求Q点；（2）作温度特性分析，观察当温度在-30度～+70度范围内变化时，BJT的集电极电流IC的变化范围。

 步骤：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路。将Bf的值改为50。

（1）设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，仿真后在输出文件中得到静态工作点：IB= （   3.31E-2   ） mA，IC = （    1.431     ） mA，VCE= （   5.37     ） V。

（2）设置直流扫描分析(DC Sweep),对温度进行-30℃～+70℃的线性扫描。在Probe窗口中得到IC随温度变化的曲线所示。由图中看出温度在-30℃～+70℃变化时，集电极电流由（    1.305     ）mA变到（  1.518     ） mA。

 3、其它参数不变，对电阻Rb直流扫描，仿真后，显示Rb功率波形，启动标尺，在Rb功率为 21uW 时，电阻Rb =(        3.6362     )。（Rb功率表达式是I(Rb)×(V(Rb:1)-V( Rb:2)）。

 4、其它参数不变，对电阻Rc直流扫描，仿真后，显示波形，启动标尺，在 时，电阻Rc =(         4.9352K   )。

5、一BJT互阻放大电路如图所示。设NPN型硅管2N3904的放大系数b=100，电路参数为：RC=500W，R f =10kW， VCC=12V。分析：

1. 当温度在-30°C到+50°C 的情况下，如果反馈电阻Rf从10 kW到50 kW之间变化时，每隔10K记录一点，三极管集电极电流 IC 的变化情况如何。

 步骤：进入仿真环境中，绘出所示电路，并设置好参数。特别是要选择参数元件(PARAMETERS)，设置自定义变量{rr}。

 （1）、在直流扫描分析中设置对温度的扫描，同时在参数扫描中设置变量rr不同的取值，仿真后得集电极电流IC。由图中看到温度在-30°C到+50°C 的情况下，Rf取不同值时，集电极电流IC 的变化情况。

本实验到此结束，感谢观看。