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hvt的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
对于NPN的晶体管是n型半导体，其导电是电子，P衬底多子是空穴，掺杂越高电子越少，越难以导电，阈值电压上升，泄露功耗变少。
对于PNP晶体管是P型半导体，其导电是空穴，N型衬底是电子，掺杂越高空穴越少，越难以导电。
hvt lvt svt的cell泄露功耗的原因
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