LOCOS:
鸟嘴,H/W小,不太适合CMP工序
STI:
H/W大,便于CMP工序
就是挖沟,填二氧化硅隔离介质{Mos比喻成城池,STI就是护城河}
sti_mask-->size (diffusion or (diffusion and poly)) by value
Proximity Effect:WPE LOD
WPE:Well proximity effect
STI Effect:LOD {length of diffusion}
就是STI槽中填充的隔离介质会产生机械应力,挤压比邻的MOS,使电参数发生和应力
相关联的漂移。STI主要影响器件的饱和电流(Idsat)和阈值电压(Vth)。
STI延展效应可以通过以下两个参数来描述:SA/SB这两个参数分别表示栅到有源区两边缘
的距离。Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2)