三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元，其中，又将以3DNANDFlash为最大宗，研调机构ICInsights认为，3DNANDFlash恐将供过于求。
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专家预估，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将成长35%;其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。
三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NANDFlash)，将达140亿美元，ICInsights指出，三星将斥资70亿美元，推进动态随机存取内存(DRAM)制程技术，并弥补因制程转换造成的产能损失。
在晶圆代工方面，三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能。
除三星投入巨额资本支出，SK海力士(Hynix)与美光(Micron)等三星竞争对手资本支出也将显著增加，这恐将引发3DNANDFlash市场供过于求。