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- 思考题5.1
- 上面是设速度饱和前提下推导
- 当P和N为长沟道或电源电压较低时不速度饱和( )
- 此时
- 试推导
设计技术————使噪声容限最大
- 设计静态CMOS时,
- 若希望使噪声容限最大并得到对称,
- 建议使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度
- 所要求的宽度比见(5.5)。
标签定义摘自另一个源的块引用。dgfdsg dfdfgewwwwweeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeedffdfdffdffdfffsefrgfeee 5 rtrt 5666666666666666666666666666666666666666666666 - gfg - ggf - gfg - gfg
<blockquote>引用区块一</blockquote>
<blockquote>引用区块二</blockquote>
引用区块一
引用区块二