• 思考题5.1
• 上面是设速度饱和前提下推导
• 当P和N为长沟道或电源电压较低时不速度饱和( $V_M-V_T<V_{DSAT}$)
• 此时
  $V_M=\frac{V_{Tn}+r(V_{DD}+V_{Tp})}{1+r},r=\sqrt{\frac{-k_p}{k_n}}\tag{5.6}$
• 试推导

设计技术————使噪声容限最大

• 设计静态CMOS时,
• 若希望使噪声容限最大并得到对称,
• 建议使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度
• 所要求的宽度比见(5.5)。

标签定义摘自另一个源的块引用。dgfdsg dfdfgewwwwweeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeedffdfdffdffdfffsefrgfeee 5 rtrt 5666666666666666666666666666666666666666666666 - gfg - ggf - gfg - gfg

<blockquote>引用区块一</blockquote>
<blockquote>引用区块二</blockquote>

引用区块一

引用区块二