1. N沟道MOSFET和P沟道MOSFET;
N沟道MOSFET和NPN晶体管类似;
P沟道MOSFET和PNP晶体管类似;
2.栅极可以是金属或者掺杂质的硅,它真正与源-漏电路绝缘;绝缘层是二氧化硅。
绝缘层很薄,通常小于光的波长,能承受±20V甚至更高的栅极电压;
但是很容易被静电损坏,有时候轻轻一碰就完全损坏。
3.增强型和耗尽型
增强型FET,以N沟道MOSFET为例,它在栅极偏置电压为零或者负值时不导通,只有栅极电位高于源极电位时才开始导通;
耗尽型FET,在制造N沟道FET时将沟道半导体加入杂质,这样即使栅极偏压为零,沟道仍可以大量导电,如果想截断漏极电流,就必须使栅极加几伏的反向偏置;
MOSFET栅极没有极型限制,所以可以制成增强型、耗尽型;
JFET只允许栅极反向偏置,所以只能做成耗尽型;
用图表示增强型和耗尽型的区别
增强型FET,当栅极电位高于源极电位才出现电流;
耗尽型FET,当栅极电位等于源极电位,漏极电流出现几乎最大;
4. 常见的FET类型
JFET总是耗尽型,其栅极电位不能高于源极电位0.5V以上(N沟道);
MOSFET,很少看到耗尽型,大多是增强型;
所以实际应用中只考虑两种FET,分别是耗尽型JFET和增强型MOSFET;
他们都有两种极型,N沟道和P沟道。
5. 导通原则
当源极接地时,使FET的栅极电压“朝着”漏极供电电压的极性变化,就能使FET导通;适用所有的5种FET;也适用双极性晶体管;
6.MOSFET和JFET电路符号
MOSFET
JFET电路符号