这节课，我们就开始实现代码重定位部分的内容。再此之前，我们要讨论一下重定位的情形：对于NorFlash启动，我们需要将NorFlash上的所有代码都复制到SDRAM里面去，在重定位之前，使用的必须是位置无关码；对于NandFlash启动，我们需要将NandFlash上的所有代码都复制到SDRAM里面去，在重定位之前，使用的必须是位置无关码。然而，对于NorFlash的访问和NandFlash的访问，都是不同的操作，我们首先需要判断，程序是从NandFlash启动，还是从NorFlash启动的。如果是从NorFlash启动的话，代码可以直接再NorFlash上进行运行，但无法像普通的RAM那样进行写入操作；如果是从NandFlash启动的话，其前面的4K内存都会被复制到片内SRAM中去，此时可以写入操作就是RAM的写入操作。因此，我们只需在零地址里写入某个数值，然后再把它读出来，看看有没有写成功，如果写成功的话，说明程序就是从NandFlash里启动的，反之则是从NorFlash中启动的。

    既然要实现能从NandFlash和NorFlash中进行读取的话，就必须先实现相关的接口。对于NorFlash，不需要初始化，但在读写之前，需要进行一些操作来解锁；对于NandFlash，我们实际是操纵NandFlash控制器的寄存器，它帮我们简化了操作，但在由于不同的NandFlash会有不同的时序，所以我们再使用前要初始化好NandFlash控制器的寄存器，设置好时序。

    那我们首先来编写NorFlash相关接口的编写。首先，我们得先翻阅其原理图：

    我们看到，这款开发板的NorFlash型号是：MX29LV160DBTI，这里我们打开和它同样的一款的NorFlash芯片手册（型号稍老，但讲得比较详细）：

我们看到，对于普通的读操作，我们可以像内存一样，发出地址，然后收到数据。但对于写操作（也就是program那里），要先先发出一些命令后，才可以进行解锁写操作，且在烧写之前，要先对NorFlash进行擦除，这又是另一个操作了。

     下面我们来编写代码，首先最简单的是都操作，我们只需要发出地址就可以读到数据了。然而，我们这个地址，必须是在NorFlash上的地址。对于如果程序是从NorFlash启动的话，则NorFlash的基地址就是0；如果程序是从NandFlash启动的话，则NorFlash的基地址就是0x08000000，所以我们要先这里要进行一下宏定义：

#ifdef BOOT_FROM_NOR
#define NOR_BASE_ADDR 0
#else
#define NOR_BASE_ADDR 0x08000000
#endif

    这样，我们就可以接受一个相对地址，从中读取相应的数据了。然而，这个相对地址还不能真正对应的NorFlash上的地址，我们来看NorFlash的结构图：

我们看到，地址线0并没有连接在NorFlash上，地址线1是连到NorFlash上的第一个地址线接口。因此，对于我们传入的偏移值，要先把偏移左移一位，才能对应NorFlash上的真正地址。现在，我们就可以编写读取NorFlash的函数了：

//读取NorFlash地址上的值
unsigned int nor_read(unsigned    int offset)
{
	//读取一个字的长度
	unsigned short *p=(volatile short*)(NOR_BASE_ADDR+(offset<<1))
	return *p;
}

读操作我们做完了，我们本该继续做烧写操作的，但我们做bootloader的根本目的就是读出内核运行，因此这里用到读操作就好了。