太原理工大学机器人团队20天学习打卡day（模拟电路初步）
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晶体管的电流分配关系
设由发射区向基区扩散所形成的电子流是I1，由基区向发射区扩散形成空穴电流I2，基区复合运动下产生电流I3，发射区扩散到基区但未被复合的自由电子漂移至集电区所形成的电流为 I4，平衡少子在集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流为 I5，
有结论：
Ie=I1+I2=I3+I4+I5;
Ic=I4+I5;
晶体管的共射电流放大系数
(这一部分有点看不懂，之后再议orz)
晶体管的共射特性曲线
输入特性曲线
输入特性曲线描述了在管压降 U C E 一定的情况下,基极电流 iB 与发射结压 降 uB E 之间的函数关系
输出特性曲线
输出特性曲线描述基极电流 IB 为一常量时,集电极电流 iC 与管压降 uC E 之 间的函数关系
从输出特性曲线可以看出,晶体管有 三个工作区域
(1) 截止区:其特征是发射结电压小 于开启电压 Uon 且集电结反向偏置;
(2) 放大区:其特征是发射结正向偏置( uB E 大于发射结开启电压 Uon )且集 电结反向偏置;
(3) 饱和区:其特征是发射结与集电结均处于正向偏置.
晶体管的主要参数
直流参数
-
共射直流电流系数 β
β =
IC - IC E O IB
当 IC m IC E O 时,β≈
IC IB
。 -
共基直流电流放大系数 α 当 IC B O 可忽略时,α≈ IC IE 。
-
极间反向电流 IC B O 是发射极开路时集电结的反向饱和电流。 IC E O 是基极开路时,集电极 与发射极间的穿透电流,IC E O = (1 + β )IC B O 。同一型号的管子反向电流愈小,性 能愈稳定。 选用管子时,β应选几十至一百多倍,IC B O 与 IC E O 应尽量小。硅管比锗管的 极间反向电流小 2～3 个数量级,因此温度稳定性也比锗管好。
交流参数
共射交流电流放大系数 β
β =ΔiC ΔiB U CE = 常量
共基交流电流放大系数 α
α =ΔiC ΔiE U CB = 常量
就到这里。。。参考童诗白版模电教材
