之前初学的时候总是照搬例子或者还在学书里的东西，都太水了，参考价值不大，这次稍微做了个汇总，方便以后查看

极化设定：

默认情况下，正电荷是加在底部，负电荷加在顶部，可使用POLAR.SCALE来修改正负和大小。这个参数可以用方程3-569。一般情况设置为1.0

有时候可能没法收敛，这时候可以用PIEZSCALE参数，默认为1.0可以用下面的公式来修改。

界面：

interface x.min=0 x.max=0.75 y.min=-0.01 y.max=0.005 qf=-1.e12

Hysteresis of Interface Traps

在MIS界面的陷阱，他们对能量变化的反应速度半导体中的准费米能级线性地取决于载流子捕获的SIGN and SIGP,

在HEIMAN 模型。陷阱在绝缘层的某个深度中均匀分布，他们的SIGN SIGP和他们距离绝缘层的距离有关。

模型：

迁移率模型：

浓度依赖迁移率模型 conmob

浓度和温度依赖迁移率模型： analytic arora

载流子浓度依赖模型 fldmob

横向电场依赖模型 tasch watt shirahata

集成模型 cvt yamaguchi kla.x

复合模型：

SRH 复合模型 srh

俄歇复合模型 auger

表面复合模型 s.n s.p surf.rec

陷阱复合 trap inttrap defect

载流子生成模型：

碰撞离化模型：impact selb Grant模型：impact Crowell-Sze 模型： impact crowell

Impact n.concan p.concan impact valdinoci impact toyabe

带带隧穿模型：

标准模型： bbt.std klaassen模型： bbt.kl 能带变窄模型：kagun kagup

F-N 隧穿模型 FNORO

热载流子注入模型： hei hhi

热电子发射模型： emiss.xx

载流子统计模型：

Boltzmann 统计

Fermi-Dirac

不完全离化：incomp ioniz

能带变窄 bgn

晶格自加热和能量平衡模型

晶格加热 models lat.temp

能量平衡 models hvte.el hcte.ho

silvaco -极化界面模型

极化设定：

界面：

模型：

迁移率模型：

复合模型：

载流子生成模型：

带带隧穿模型：

载流子统计模型：

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