本节包括以下小节：
• 交叉存取。
• 加载/存储元素和结构指令中的对齐限制。
• VLDn 和 VSTn（单个 n 元素结构到一条向量线）。
此类指令几乎可用于所有数据访问。可加载标准向量 (n = 1)。
• VLDn（单个 n 元素结构到所有向量线）。
• VLDn 和 VSTn（多个 n 元素结构）。
一、交叉存取
此组中的许多指令在将结构存储到内存时提供交叉存取功能，并在从内存加载结构时提供反向交叉存取功能。下图显示了一个反向交叉存取示例。 交叉存取就是反向的过程。
二、加载/存储元素和结构指令中的对齐限制
其中许多指令允许指定内存对齐限制。 如果指令中未指定对齐，则由 A 位（CP15 寄存器 1 位 [1]）控制对齐限制。
• 如果 A 位为 0，则没有对齐限制（但强序或设备内存除外，其访问必须对齐元素，否则会出现意外结果）。
• 如果 A 位为 1，则访问必须对齐元素。
如果地址未正确对齐，则会发生对齐故障。
三、VLDn 和 VSTn（单个 n 元素结构到一条向量线）
向量加载（单个 n 元素结构到一个向量线）将一个 n 元素结构从内存加载到一个或多个 NEON 寄存器。未加载的寄存器元素将保持不变。
语法
Vopn{cond}.datatype list, [Rn{@align}]{!}
Vopn{